반응형 Czochralski공법1 Wafer는 어떻게 만들어지는가? 반도체로서 실리콘의 특성을 활용하기 위해서는 가공되지 않은 이산화규소를 극도로 깨끗한 단결정 실리콘 물질로 만들어야 한다. 단결정 실리콘 성장 1. Czochralski공법 (초크랄스키 공법) 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 방법으로 석영도가니를 가열하여 석영도가니 속의 실리콘을 용융시킨 후 용융체의 표면에 종자 결정을 위치시켜 결정핵이 형성되게 한다. 이후 크리스탈 인상기를 서서히 회전 및 상승시켜서 결정을 성장시키는 방법이다. 1) 결함밀도 결정성장과 웨이퍼 제조에서 사용되는 용어로서 웨이퍼 표면의 ㎠ 당 결함의 수로 정의된다. 이러한 결함 밀도를 줄이는 것은 웨이퍼 수율을 증가시키기 위한 중요한 요소이다. 2) 결함밀도의 종류 (1) 점결함(Point Defect): 결정격자에서 특정한 위치에서 발.. 2022. 6. 6. 이전 1 다음 반응형
