반응형 관심분야/반도체산업4 반도체 공정 – 산화 공정 반도체 공정 – 산화 공정 초기 웨이퍼는 전기가 통하지 않는 부도체 상태이다. 산화공정은 도체와 부도체의 성격을 모두 가진 반도체의 성질로 만드는 기초 작업이다. 즉, 웨이퍼의 보호막과 절연막 역할을 하는 산화막(SiO2)을 형성하는 공정이다. 산화막의 역할 1) 소자 보호와 격리 - 웨이퍼 표면에 성장된 이산화 규소는 실리콘에 민감한 소자를 보호하고 격리하기 위해 효과적인 장벽의 역할을 한다. 2) 표면 보호 - 실리콘의 표면 밀도 감소: 웨이퍼 표면에 있는 실리콘의 표면 상태 밀도를 감소시키기 위해 산화물을 형성하여 외부에서의 오염물질로 인해 발생하는 반도체의 누설 전류 등을 제거한다. - SiO2는 마지막 공정에서 발생할 수 있는 손상과 공정 손실로부터 Si를 보호한다. 3) Layer 사이의 절연.. 2022. 6. 13. 반도체 공정 - 세정공정 세정공정이란 화학 및 물리적 방법과 가스 등을 이용해 웨이퍼 표면에 있는 불순물을 제거하는 공정이다. 매우 미세한 공정을 다루는 공정의 경우 웨이퍼 표면에 Particle, 금속유기물, 자연산화막 등으로 인해 제품의 수율과 신뢰성에 악영향을 미치게 된다. 웨이퍼에 악영향을 미치는 Particle, 금속유기물, 자연산화막 등을 제거하는 공정을 세정공정이라고 한다. 세정공정은 각각의 공정 사이사이에 반복적으로 진행되며 다른 공정대비 진행 횟수가 약 2배정도 많다. 1. 습식세정 (Wet Clean) 습식세정은 Chemical 또는 DI Water에 웨이퍼를 담궈 진행하는 방식이다. 습식세정이 진행된 뒤에는 린스(Rins)와 건조(Dry)를 진행하기 때문에 공정횟수가 늘어나는 단점이 있다. 또한 공정의 미세화.. 2022. 6. 8. Wafer는 어떻게 만들어지는가? 반도체로서 실리콘의 특성을 활용하기 위해서는 가공되지 않은 이산화규소를 극도로 깨끗한 단결정 실리콘 물질로 만들어야 한다. 단결정 실리콘 성장 1. Czochralski공법 (초크랄스키 공법) 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 방법으로 석영도가니를 가열하여 석영도가니 속의 실리콘을 용융시킨 후 용융체의 표면에 종자 결정을 위치시켜 결정핵이 형성되게 한다. 이후 크리스탈 인상기를 서서히 회전 및 상승시켜서 결정을 성장시키는 방법이다. 1) 결함밀도 결정성장과 웨이퍼 제조에서 사용되는 용어로서 웨이퍼 표면의 ㎠ 당 결함의 수로 정의된다. 이러한 결함 밀도를 줄이는 것은 웨이퍼 수율을 증가시키기 위한 중요한 요소이다. 2) 결함밀도의 종류 (1) 점결함(Point Defect): 결정격자에서 특정한 위치에서 발.. 2022. 6. 6. 대한민국 경제의 핵심: 반도체란 무엇인가? 현재 전 세계에서 기술 전쟁이 한창이라는 것을 뉴스를 통해서 잘 알고 있을 것이다. 그중 반도체가 가장 핵심이라고 할 수 있다. 얼마 전 방한한 미국 바이든 대통령이 대한민국을 찾은 곳은 삼성전자 평택 캠퍼스이다. 그만큼 반도체의 중요성을 여실히 보여준 것이라 할 수 있다. 반도체 현업에서 일하는 엔지니어로서 반도체에 대해 정리하는 포스팅을 시작하고자 한다. 1. 반도체의 정의 반도체는 전기를 전하는 성질이 도체와 부도체의 중간 정도인 물질로서 도핑 등에 의해서 전기를 흘려주는 정도를 조절할 수 있는 물질이다. 지구상에서 쉽게 구할 수 있는 Si(규소)를 통해 주로 Wafer라는 원판을 제작한다. Si(규소)가 반도체 물질로 선택된 이유는 3가지로 요약할 수 있다. 1) 어디서든 쉽게 구할 수 있는 풍부.. 2022. 6. 3. 이전 1 다음 반응형
