반응형 습식산화1 반도체 공정 – 산화 공정 반도체 공정 – 산화 공정 초기 웨이퍼는 전기가 통하지 않는 부도체 상태이다. 산화공정은 도체와 부도체의 성격을 모두 가진 반도체의 성질로 만드는 기초 작업이다. 즉, 웨이퍼의 보호막과 절연막 역할을 하는 산화막(SiO2)을 형성하는 공정이다. 산화막의 역할 1) 소자 보호와 격리 - 웨이퍼 표면에 성장된 이산화 규소는 실리콘에 민감한 소자를 보호하고 격리하기 위해 효과적인 장벽의 역할을 한다. 2) 표면 보호 - 실리콘의 표면 밀도 감소: 웨이퍼 표면에 있는 실리콘의 표면 상태 밀도를 감소시키기 위해 산화물을 형성하여 외부에서의 오염물질로 인해 발생하는 반도체의 누설 전류 등을 제거한다. - SiO2는 마지막 공정에서 발생할 수 있는 손상과 공정 손실로부터 Si를 보호한다. 3) Layer 사이의 절연.. 2022. 6. 13. 이전 1 다음 반응형
